比较出名的配资平台:配资网站推荐-HBM份额争夺战打响！三星率先亮出底牌 或增大DRAM尺寸

　　随着英伟达Vera Rubin出货节点日益临近 ，存储巨头围绕HBM4市场份额的霸权争夺战已然打响。

　　三星率先亮出底牌 。据ZDNet Korea近日报道，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸
，从而同时提升DRAM和HBM4的性能。据悉，芯片尺寸的扩大能保证TSV（硅通孔）工艺的稳定性 ，HBM4由于I/O数量增加
，需要在DRAM中设置更多的TSV孔
。

　　当三星的DRAM拥有更大的可用面积，TSV布局方面即可获得更大的灵活性 ，如降低了TSV密度
，便于散热并确保可靠性。

　　问题在于，增大DRAM尺寸或意味着利润缩水——因将减少每片晶圆可生产的芯片数量 。此外 ，三星电子在HBM4核心芯片中采用了领先竞争对手一代的1c DRAM技术
，然而1c DRAM的良率仍然只有60%左右，其正集中精力提高良率 ，同时抢先为英伟达大规模生产HBM4
。

　　不过
，三星对其尖端工艺充满信心，其在日前举行的HBM4量产启动仪式上宣称：“从HBM4开发之初 ，我们就设定了超越JEDEC（联合电子设备工程委员会）标准的性能目标 ”，并且“从量产之初
，我们就确保了稳定的良率和行业领先的性能，而无需重新设计。”

　　资料显示 ，JEDEC最初仅将HBM4的性能标准设定为8 Gbps
，但内存供应商最近将其提高到11.7 Gbps，并与英伟达一起进行了测试 。

　　横向对比来看 ，针对HBM控制器的基础芯片
，三星采用自家晶圆代工厂的4nm工艺进行量产，相比SK海力士采用台积电工艺的12nm工艺有了显著提升
。此外 ，SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了与HBM3E相同的1b DRAM芯片。

　　在HBM4销售上
，三星已取得些许优势 。根据市场调查机构Omdia的报告，三星电子2025年第四季DRAM市占率达36.6% ，SK海力士以32.9%屈居第二
，主要得益于三星第六代高带宽内存HBM4的销售增长
。

　　另一方面，SK海力士在量产进度上进行追赶。据此前报道 ，SK海力士将其位于清州的“HBM4专用工厂
”M15X工厂的量产计划提前了四个月，于本月开始量产用于HBM4的1b DRAM晶圆 。该工厂初期规划约为1万片
，预计到今年底将提升至数万片
。

　　根据TrendForce集邦咨询最新HBM产业研究，预期英伟达Rubin平台量产后 ，将带动HBM4需求。目前三大存储器原厂的HBM4验证程序已进展至尾声
，预计将在2026年第二季陆续完成 。其中，三星凭借最佳的产品稳定性 ，预期将率先通过验证
，SK海力士、美光随后跟上，可望形成三大厂供应英伟达HBM4的格局。

（文章来源：科创板日报）